深圳市三佛科技有限公司介绍 SLD60N02T : 60A 20VTO-
N沟道 MOS场效应管 品牌:美浦森 型号:SLD60N02T VDS:20
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)全电压范围 内建防过载、防饱和、防输出短路电路 锁存脉宽调制,逐脉冲限流检测 内置斜坡驱动电路
单相双NMOS半桥栅极驱动芯片 SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT
近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A
封装IGBT单管 /
封装的全称为Heptawatt 高继电功率封装医疗器械企业,是由施耐德(SEMETEY)公司开发的一种新型封装。它是基于
高压 MOSFET 和高压启动电路 •优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力 •多模式控制、无异音工作 •支持降压和升降压拓扑 •默认 12
变频异步电机医疗器械企业,连续工作的允许耐压值是多少呢? 比如说,变频器的直流母线
/10000UF电解充电,充电时间1.5s医疗器械企业,瞬间功率比较大,请问一下LT3751能否做到,或者有其他合适方案
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用,提供广泛的封装选项,包括长引线
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(
/6A SiC二极管 /
Lunar Lake:NPU性能全面提升,能耗也大幅降低,综合AI算力提升至120TOPS
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